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敖建平
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期刊论文
共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质*
半导体学报：2006，27（8）：1406～1411，-0001，（）：
采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度，以三步法工艺制备CIGS（Cu（In,Ga）Se2）薄膜，通过恒功率加热衬底测试温度的变化，可实现在线组分监测，得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同，主要有（112）和（220）/（204）两种；其结晶形貌也有很大的不同，晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高，虽然从Cu/（In+Ga）<1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构，但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型.
【免责声明】以下全部内容由[敖建平]上传于[2011年03月16日 09时29分07秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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