提示
贺朝会
-
94浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
112下载
-
0评论
-
引用
期刊论文
CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析
，-0001，（）：
摘要/描述
解析分析了影响CMOS SRAM单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程。给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，提出了器件抗单粒子翻转的加固措施。对电荷收集过程中截止管漏极电位的变化进行了分析，提出了临界电荷新定义，并给出了判断带电粒子入射能否导致器件发生单粒子翻转效应的方法。
【免责声明】以下全部内容由[贺朝会]上传于[2005年03月31日 18时01分14秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
我要评论
全部评论
共 0 条
本学者其他成果
同领域成果
