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贺朝会
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期刊论文
北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析
，-0001，（）：
摘要/描述
首次从利用高能电子打靶产生的质子做半导体器件的单粒子效应（SEE）的角度，分析了北京正负电子对撞机（BEPC）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了三种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明，选取重核做靶，可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额可达1.658×106p/s·sr·GeV/c。可以用BEPC次级束中的质子做翻转截面比较大（σ=−1082cm）的半导体器件的单粒子效应实验研究。
【免责声明】以下全部内容由[贺朝会]上传于[2005年03月31日 18时02分03秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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