您当前所在位置: 首页 > 学者

胡小唐

  • 85浏览

  • 0点赞

  • 0收藏

  • 0分享

  • 193下载

  • 0评论

  • 引用

期刊论文

利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构

胡小唐胡晓东郭彤

,-0001,():

URL:

摘要/描述

纳米氧化结构是构成纳米电子器件的重要组成部份。本文主要讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析。实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧化结构具有中央凹陷特征和较高的纵横比。

【免责声明】以下全部内容由[胡小唐]上传于[2005年03月04日 18时06分12秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。

我要评论

全部评论 0

本学者其他成果

    同领域成果