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姜洪义
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期刊论文
Te对fMg2Si基化合物结构和热电传输性能的影响
硅酸盐学报，2002，30（5）：550～553转558，-0001，（）：
摘要/描述
采用固相反应法在823K温度下分别制备出了掺入0.1%和0.4%（摩尔分数，下同）的Mg2Si化合物，并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明：通过对Mg2Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2Si基热电材料的整体热电性能。掺入0.4%Te试样的优值系数在500K时达到2.4×10 -3W/(m·K2)，比未掺杂的Mg2Si试样提高了1.4倍以上。
【免责声明】以下全部内容由[姜洪义]上传于[2011年06月23日 11时03分20秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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