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期刊论文
电沉积法制备CuInSe2薄膜的组成与形貌
中国有色金属学报第17卷第4期2007年4月/The Chinese Journal of Nonferrous Metals Vol. 17 No. 4 Apr. 2007,-0001,():
采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6-0.8V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440-610 ℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500 ℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8V 时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。
【免责声明】以下全部内容由[刘业翔]上传于[2007年09月19日 15时39分42秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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