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沈光地
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期刊论文
大光腔小垂直发散角In Ga As/Ga As/Al Ga As半导体激光器*
物理学报，2004，53（7）：2150～2153，-0001，（）：
摘要/描述
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器，近场光斑宽度达到1μm ，较普通半导体激光器提高了一个数量级，有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题。采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的Al Ga As 隧道结、Ga As/In Ga As 应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构，并制备出器件，其垂直发散角为20°，阈值电流密度为277APcm2，斜率效率在未镀膜时达到0.80WPA。
【免责声明】以下全部内容由[沈光地]上传于[2009年06月23日 18时22分29秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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