提示
汪辉
-
42浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
306下载
-
0评论
-
引用
期刊论文
高k栅介质的可靠性问题
半导体技术，2009，34（1）：6～10，-0001，（）：
摘要/描述
随着集成电路特征尺寸的不断缩短，利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然，确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状，阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题，对偏压温度不稳定现象（BTI）和高k击穿特性进行了探讨。
【免责声明】以下全部内容由[汪辉]上传于[2010年03月10日 10时56分43秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
我要评论
全部评论
共 0 条
本学者其他成果
同领域成果
