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魏英进

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期刊论文

梯形化合物NaV2O4F电子结构的第一性原理研究*

魏英进胡方)明星)范厚刚))陈岗)王春忠)魏英进)黄祖飞))+

物理学报,2009,58(2):1173~1178,-0001,():

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摘要/描述

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,通过自旋极化的广义梯度近似(GGA)电子结构计算对梯形化合物NaV2O4F进行了研究。考虑了四种假想的自旋有序态,计算结果表明该化合物的磁基态具有二维反铁磁(AFM)结构,即沿梯阶和梯腿方向都表现为AFM作用。能带结构显NaV2O4F为绝缘体材料,带隙约为110eV。方锥体中的晶体场劈裂使得VO4F方锥体中的V4+(3d1)离子的未配对电子填充dxy轨道。电负性极强的F离子使得梯阶上的共价性减弱,并导致梯阶上的交换作用减弱。采用Noodleman的对称性破缺方法由Ising模型拟合出的自旋交换耦合常数表明NaV2O4F的梯间还存在强度与梯阶的AFM作用相当的铁磁(FM)相互作用,说明该梯形化合物很可能不是一种自旋梯材料。

【免责声明】以下全部内容由[魏英进]上传于[2010年03月08日 13时07分40秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。

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