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衣立新
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期刊论文
磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析
光谱学与光谱分析，2009，29（5）：1260～1263，-0001，（）：
利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示，SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si-N-Si键的伸缩振动吸收（Stretching vibration mode），其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移；但退火后，该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型，分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为，随着溅射功率的提高，薄膜中先后形成Si-N。四面体，Si-N-Sia，Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构，这几种结构分别对应着Si-N-Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高，分子热运动逐渐加剧，非晶SiNx薄膜发生相分离，生成Sh3N4和Si纳米晶颗粒，因此，Si-N-Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
【免责声明】以下全部内容由[衣立新]上传于[2010年02月28日 10时21分10秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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