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期刊论文
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜*
物理学报,2003,52(3):687~691,-0001,():
利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP2CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅(SiN)薄膜沉积,并研究了实验参量对薄膜特性的影响。利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量。结果表明,采用HWP-CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜,所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构。采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率,并使薄膜的致密性增加。适当提高N2/SiH4比例有利于薄膜中H含量的降低。
【免责声明】以下全部内容由[于威]上传于[2009年07月10日 16时09分03秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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