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期刊论文
a-Si太阳电池p层微晶结构的研究
电源技术,2003,27(5):450~461,-0001,():
用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/N(SiH4)=100, n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应行驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出渗硼的非晶氢化奎宁薄膜。通过拉曼光谱、激活能测度、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的渗杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1•cm-1,激活能可达0.2eV左右,接着又用uC-Si:H与传统所有的a-SiC: H分别做电池的p层,比较了二者的I-V特征,发现uC-Si:H作为电池的p层有更大的优越性。
【免责声明】以下全部内容由[张德贤]上传于[2010年01月04日 19时53分46秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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