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成果题名：GaN metal-oxide-semiconductor structures using Ga-oxide dielectrics formed by photoelectrochemical oxidation

作者： D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang,a) C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, and D. H. Shin C. H. Lee and K. S. Chung

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