问答列表－GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 μm GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy

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成果题名：GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 μm GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy

作者： Z. C. Niu1, S. Y. Zhang1, H. Q. Ni1, D. H. Wu1, H. Zhao1, H. L. Peng1, Y. Q. Xu1, S. Y. Li1, Z. H. He1, Z. W. Ren1, Q. Han2, X. H. Yang2, Y. Du2, R. H. Wu2

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