您当前所在位置： 首页 > 学者

成果题名：Two-phase fine-grain sleep transistor insertion technique in leakage critical circuits

作者： 杨华中

该成果有以下 0 条问题。我要提问

全部提问

中华人民共和国教育部 教育部科技发展中心 中国教育与科研计算机网 教育部学位与研究生教育发展中心 国家留学基金委

中国学术会议在线 中国教育人力资源系统 中国教育新闻网 神州学人 中国教育在线

中国科技论文在线 版权所有 网站地图| 在线首页| 在线简介| 服务条款| 联系我们 知识共享许可协议

主管 :中华人民共和国教育部 主办 :教育部科技发展中心 技术支持 :赛尔互联（北京）教育科技有限公司

京公网安备 11040202430024号 京ICP备15006316号-2| 网络出版服务许可证 （总）网出证（京）字第083号 | 文保网安备案号：1101080066