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论文编号 200802-308
论文题目 InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究
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InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

首发时间:2008-02-26

陈小雪 1    滕利华 1    刘晓东 1    黄绮文 1    文锦辉 1    林位株 1    赖天树 1   
  • 1、中山大学光电材料与技术国家重点实验室

摘要:采用飞秒时间分辨圆偏振光泵浦-探测光谱对In0.1Ga0.9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0.2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3:1,而不支持1:1或1:0.94的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70 ps,定性分析了自旋驰豫机制,认为BAP机制是电子自旋弛豫的主要机制.

关键词: 电子自旋 InGaN 自旋极化 自旋弛豫

For information in English, please click here

Study of injection and relaxation of electron spins in InGaN film by time-resolved absorption spectroscopy

Chen Xiaoxue 1    Teng Lihua 1    Liu Xiaodong 1    Huang Qiwen 1    Wen Jinhui 1    Lin Weizhu 1    Lai Tianshu 1   
  • 1、State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies

Abstract:The injection and relaxation of electron spins in In0.1Ga0.9N film are studied by femtosecond time-resolved circularly polarized pump-probe spectroscopy. An initial degree of spin polarization of 0.2 is obtained, and agrees with 3:1 ration of heavy- to light-hole valence bands in transition strength, but disagrees with the 1:1 or 1;0.94. A spin relaxation lifetime of 490±70 ps is acquired at room temperature. The spin relaxation mechanism is discussed qualitatively, and is thought to be dominated by BAP mechanism here.

Keywords: electron spin, InGaN, spin polarization, spin relaxation

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陈小雪,滕利华,刘晓东,等. InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究[EB/OL]. 北京:中国科技论文在线 [2008-02-26]. http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/200802-308.

No.1885420198112040****

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