Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs

李永宏; 贺朝会; 赵发展; 郭天雷; 刘刚; 韩郑生; 郭刚; 刘建成; 滕锐; 惠宁; 陈泉

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Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs

首发时间：2008-09-03

Li Yonghong ¹ He Chaohui ² Zhao Fazhan ³ Guo Tianlei ³ Liu Gang ³ Han Zhengsheng ³ Guo Gang ⁴ Liu Jiancheng ⁴ Teng rui ⁴ Hui Ning ⁴ Chen Quan ⁴

1、Xi’an Jiaotong University
2、Xi＇an Jiaotong University
3、Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
4、China Institute of Atomic Energy

Abstract：64K silicon-on-insulator (SOI) SRAMs were exposed to different heavy ions, Cu, Br, I, Kr. Experiment results show that the heavy ion single event upset(SEU) threshold Linear Energy Transfer (LET) in the 64K SOI SRAMs is about 71.8 MeV.cm2/mg. According to the experimental results, the single-event upset rate（SEUR）in space orbits are calculated and they are at the order of 10-13 upset/(day.bit) .

keywords： SOI SRAM single event upset, single event upset rate space radiation.

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Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs

李永宏 ¹ 贺朝会 ² 赵发展 ³ 郭天雷 ³ 刘刚 ³ 韩郑生 ³ 郭刚 ⁴ 刘建成 ⁴ 滕锐 ⁴ 惠宁 ⁴ 陈泉 ⁴

1、Xi’an Jiaotong University
2、Xi＇an Jiaotong University
3、Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
4、China Institute of Atomic Energy

摘要：64K silicon-on-insulator (SOI) SRAMs were exposed to different heavy ions, Cu, Br, I, Kr. Experiment results show that the heavy ion single event upset(SEU) threshold Linear Energy Transfer (LET) in the 64K SOI SRAMs is about 71.8 MeV.cm2/mg. According to the experimental results, the single-event upset rate（SEUR）in space orbits are calculated and they are at the order of 10-13 upset/(day.bit) .

关键词： SOI SRAM; single event upset; single event upset rate;space radiation

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Li Yonghong,He Chaohui,Zhao Fazhan,et al. Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs[EB/OL]. Beijing:Sciencepaper Online[2008-09-03]. http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/200809-75.

No.2371499151122042****

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论文编号	200809-75
论文题目	Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs
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