化学液相沉积Al2O3薄膜钝化p型黑硅

李永祥; 郭婉; 孙平杨; 李葛亮; 刘爱民

0
0
浏览
下载

摘要
关键词
基金信息
论文图表
同行评议
相关论文
评论

化学液相沉积Al2O3薄膜钝化p型黑硅

首发时间：2013-04-28

李永祥 ¹
李永祥，（1988-），男，硕士，主要研究方向：硅基太阳能电池。
郭婉 ² 孙平杨 ² 李葛亮 ² 刘爱民 ²
刘爱民（1967-），男，教授，主要研究方向：太阳能电池

1、大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁大连 116024
2、大连理工大学物理与光电工程学院，大连 116024

摘要：本文采用易操作成本低的化学液相沉积法（CLD）在p型黑硅衬底上沉积了均匀的Al2O3钝化层,研究了不同退火温度（300、600和900℃）对钝化层物理特性以及钝化效果的影响。实验发现Al2O3钝化层增强了黑硅的反射率。由于钝化层中的氧元素含量较少导致化学液相沉积出来Al2O3中的固定负电荷含量较少，并且固定负电荷密度随退火温度的增加而减少。通过瞬态表面光伏谱（SPV）的测量，发现300~600℃之间的退火温度能够获得较好的钝化效果。

关键词：硅太阳能电池 Al2O3 表面钝化黑硅化学液相沉积退火温度

For information in English, please click here

The Passivation of p-type Black Silicon with Al2O3 Deposited by Chemical Liquid Phase Deposition

Li Yongxiang ¹
李永祥，（1988-），男，硕士，主要研究方向：硅基太阳能电池。
Guo Wan ² Sun Pingyang ² Li Geliang ² Liu Aimin ²
刘爱民（1967-），男，教授，主要研究方向：太阳能电池

1、School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, LiaoNing Dalian 116024
2、School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China

Abstract：In this paper，uniform Al2O3 films were deposited on p-type black silicon (b-Si) substrates by simple and low-cost chemical liquid phase deposition (CLD). The influence of annealing temperatures on physics properties and passivation effect of Al2O3 films were investigated. After annealed at 300, 600, and 900 ℃, the extremely low reflectance of b-Si increased approximately 4%. For the lack of interstitial O near the passivation interface, no obvious fixed negative charge was measured. Yet the responses of transient surface photovoltage (SPV) demonstrated that a better passivation effect of p-type b-Si can be obtained after annealed during the temperature from 300 to 600 ℃ by Al2O3.

Keywords： silicon solar cells Al2O3 surface passivation black silicon chemical liquid phase deposition annealing temperature

基金：

1. 国家高技术研究发展项目(863项目)（Grant No: 2011AA050516）

论文图表：

引用

导出参考文献

.txt

.ris

.doc

李永祥，郭婉，孙平杨，等. 化学液相沉积Al2O3薄膜钝化p型黑硅[EB/OL]. 北京：中国科技论文在线 [2013-04-28]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201304-582.

No.****

同行评议

共计0人参与

全部评论

0/1000

论文编号	201304-582
论文题目	化学液相沉积Al2O3薄膜钝化p型黑硅
文献类型
收录期刊	上传封面中文期刊英文期刊期刊名称（中文）期刊名称（英文）年，卷（）上传封面中文专著英文专著书名（中文）书名（英文）出版地出版社出版年上传封面中文译著英文译著书名（中文）书名（英文）出版地出版社出版年上传封面中文论文集英文论文集编者.论文集名称（中文） [c]. 出版地出版社出版年， - 编者.论文集名称（英文） [c]. 出版地出版社出版年，- 上传封面中文文献英文文献期刊名称（中文）期刊名称（英文）日期-- 在线地址http:// 上传封面中文文献英文文献文题（中文）文题（英文）出版地出版社,出版日期-- 上传封面中文文献英文文献文题（中文）文题（英文）出版地出版社,出版日期--
英文作者写法：中外文作者均姓前名后，姓大写，名的第一个字母大写，姓全称写出，名可只写第一个字母，其后不加实心圆点“.”, 作者之间用逗号“，”分隔，最后为实心圆点“.”, 示例1：原姓名写法：Albert Einstein,编入参考文献时写法：Einstein A. 示例2：原姓名写法：李时珍；编入参考文献时写法：LI S Z. 示例3：YELLAND R L,JONES S C,EASTON K S,et al.