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论文编号 201705-472
论文题目 光电互连器件实现中GaAs蚀刻的精确控制技术
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光电互连器件实现中GaAs蚀刻的精确控制技术

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杨彦伟 1

杨彦伟(1994-),男,硕士研究生,主要研究方向:光电子器件

刘凯 12

刘凯(1972-),男,讲师,主要研究方向:光通信与光电子器件

黄永清 12

段晓峰 12

王琦 12

刘昊 1

任晓敏 12

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1、 北京邮电大学信息光子学与光通信研究院,北京 100876 2、 北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室,北京 100876

摘要:在本文中,一种在电感耦合等离子体(ICP)蚀刻系统中使用氯气/氩气/氧气蚀刻气体精确控制GaAs蚀刻速率的全新蚀刻技术被提出。实验表明,氧气的引入可以使得GaAs蚀刻速率小于1埃每秒(A/s),并且相关实验结果还显示GaAs的蚀刻速率受到蚀刻尺寸的影响,而GaAs材料的表面粗糙度不会受到蚀刻影响。这一刻蚀技术将有利于将工艺图形精确转移到半导体材料上,可以应用于半导体光电子互连器件的实现。文中实现了将光刻胶掩膜图形向LED的转移,并测量了相关器件的性能。

关键词: 半导体技术 GaAs 电感耦合等离子体刻蚀(ICP) 发光二极管(LED) 图形转印

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