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论文编号 201705-742
论文题目 单片三维集成中的关键工艺和器件技术
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单片三维集成中的关键工艺和器件技术

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杨远程

杨远程(1988-),男,博士研究生,主要研究方向:新结构器件,单片三维集成

黎明

黎明(1976-),男,教授,博导,主要研究方向:纳米尺度新结构集成电路器件与工艺

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北京大学微纳电子研究院微电子器件与电路重点实验室

摘要:三维单片集成的发展动力来自对高集成度、低成本、多功能系统的需求。器件选择上,栅控能力强、泄漏电流低的超薄体全耗尽器件(如UTBB、FinFET、NWFET)适用于单片三维集成。工艺控制上,其核心问题在于控制全过程的热预算,关键工艺是上层器件有源区的形成技术。应用领域与发展方向上,有源层转移键合技术和再结晶技术分别适应于more Moore和more than Moore的发展方向。

关键词: 微电子 单片三维集成 热预算控制 超薄体器

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