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论文编号 201709-4
论文题目 垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化
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垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化

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陈珙

陈珙(1992-),男,博士研究生,主要研究方向为新型纳米线器件模型与工艺

黎明

黎明,百人研究员,博导,目前在研方向为新型小尺寸器件模型与工艺

发送私信

发送给黎明

北京大学微纳电子学研究院,北京 100871

摘要:本文针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管,提出了一种涉及源漏延伸区、源漏侧墙k值以及源漏侧墙宽度的器件设计,TCAD(计算机辅助设计软件)仿真结果显示,将源端进行均匀重掺杂的同时,对漏端进行单边的高斯掺杂(掺杂带尾位于沟道一侧),更有利于抑制器件的短沟道,同时提高器件的驱动能力。另外,在漏端采用高k材料,同时适当放宽漏端侧墙宽度,可以将器件的寄生电容控制在较小的同时,进一步降低短沟效应以及提高开态电流。由此可见,垂直沟道的围栅纳米线器件将来应用在低功耗领域具备巨大潜力。

关键词: 微电子学 垂直纳米线 非对称源漏 侧墙k值 寄生电容

图表:

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