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论文编号 201709-98
论文题目 低能量高掺杂磷原子注入经快速热退火后的杂质分布影响因素研究
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低能量高掺杂磷原子注入经快速热退火后的杂质分布影响因素研究

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王韡祺

王韡祺, 男, 1989年6月, 工程师, 主要研究离子注入与快速热退火工艺方向.

黄其煜

黄其煜,博士,副教授,1997年本科毕业于北京大学物理学系,同年赴美留学。分别与2000年和2003年在美国弗吉尼亚大学电机工程与计算机工程系获得硕士和博士学位。主要研究方向为纳米材料和微加工技术,长期担任半导体制造工艺实验课程的教学。曾参与有美国顶尖大学参与的Molecular Level Printing项目研究。在国际一流学术期刊结合会议上发表多篇论文。黄其煜博士自2004年9月起就职于上海交通大学电子信息与电气工程学院。

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发送给黄其煜

上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海,200240

摘要:在半导体器件中,提高开关速度和降低漏电流或已成为阻碍产业发展的一对无法调和的矛盾。然而半导体产业的蓬勃发展推动了器件制作工艺的不断发展,超浅结工艺和尖端退火工艺正是基于此发展的。超浅结工艺基于低能高剂量注入条件,其特点是阱深浅,器件开关速度快。快速退火工艺其热输入小,升降温速率快,在抑制杂质的横向扩散效果显著。本论文基于55纳米工艺平台,以低能高掺杂磷原子注入与快速热退火为案例,对杂质原子在硅基中的分布及迁移作了一定的分析和试验验证。分析发现,低能大剂量均匀注入的同时,经快速退火后,杂质原子在硅基形成特殊的分布,其硅片边缘部分呈现杂质偏多,阻值偏低的现象。浅结注入的阱深较低,在退火过程中杂质容易通过硅表面溢出,对阻值变化产生影响。同时,本文中针对两种扩散模式,纵向扩散及横向扩散作了相应的试验分析。

关键词: 浅结注入、快速热退火、原子溢出、横向扩散、纵向扩散

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