您当前所在位置: 首页 > 首发论文
动态公开评议须知

1. 评议人本着自愿的原则,秉持科学严谨的态度,从论文的科学性、创新性、表述性等方面给予客观公正的学术评价,亦可对研究提出改进方案或下一步发展的建议。

2. 论文若有勘误表、修改稿等更新的版本,建议评议人针对最新版本的论文进行同行评议。

3. 每位评议人对每篇论文有且仅有一次评议机会,评议结果将完全公示于网站上,一旦发布,不可更改、不可撤回,因此,在给予评议时请慎重考虑,认真对待,准确表述。

4. 同行评议仅限于学术范围内的合理讨论,评议人需承诺此次评议不存在利益往来、同行竞争、学术偏见等行为,不可进行任何人身攻击或恶意评价,一旦发现有不当评议的行为,评议结果将被撤销,并收回评审人的权限,此外,本站将保留追究责任的权利。

5. 论文所展示的星级为综合评定结果,是根据多位评议人的同行评议结果进行综合计算而得出的。

勘误表

上传勘误表说明

  • 1. 请按本站示例的“勘误表格式”要求,在文本框中编写勘误表;
  • 2. 本站只保留一版勘误表,每重新上传一次,即会覆盖之前的版本;
  • 3. 本站只针对原稿进行勘误,修改稿发布后,不可对原稿及修改稿再作勘误。

示例:

勘误表

上传勘误表说明

  • 1. 请按本站示例的“勘误表格式”要求,在文本框中编写勘误表;
  • 2. 本站只保留一版勘误表,每重新上传一次,即会覆盖之前的版本;
  • 3. 本站只针对原稿进行勘误,修改稿发布后,不可对原稿及修改稿再作勘误。

示例:

上传后印本

( 请提交PDF文档 )

* 后印本是指作者提交给期刊的预印本,经过同行评议和期刊的编辑后发表在正式期刊上的论文版本。作者自愿上传,上传前请查询出版商所允许的延缓公示的政策,若因此产生纠纷,本站概不负责。

发邮件给 王小芳

收件人:

收件人邮箱:

发件人邮箱:

发送内容:

0/300

论文收录信息

论文编号 201711-49
论文题目 基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究
文献类型
收录
期刊

上传封面

期刊名称(中文)

期刊名称(英文)

年, 卷(

上传封面

书名(中文)

书名(英文)

出版地

出版社

出版年

上传封面

书名(中文)

书名(英文)

出版地

出版社

出版年

上传封面

编者.论文集名称(中文) [c].

出版地 出版社 出版年-

编者.论文集名称(英文) [c].

出版地出版社 出版年-

上传封面

期刊名称(中文)

期刊名称(英文)

日期--

在线地址http://

上传封面

文题(中文)

文题(英文)

出版地

出版社,出版日期--

上传封面

文题(中文)

文题(英文)

出版地

出版社,出版日期--

英文作者写法:

中外文作者均姓前名后,姓大写,名的第一个字母大写,姓全称写出,名可只写第一个字母,其后不加实心圆点“.”,

作者之间用逗号“,”分隔,最后为实心圆点“.”,

示例1:原姓名写法:Albert Einstein,编入参考文献时写法:Einstein A.

示例2:原姓名写法:李时珍;编入参考文献时写法:LI S Z.

示例3:YELLAND R L,JONES S C,EASTON K S,et al.

上传修改稿说明:

1.修改稿的作者顺序及单位须与原文一致;

2.修改稿上传成功后,请勿上传相同内容的论文;

3.修改稿中必须要有相应的修改标记,如高亮修改内容,添加文字说明等,否则将作退稿处理。

4.请选择DOC或Latex中的一种文件格式上传。

上传doc论文   请上传模板编辑的DOC文件

上传latex论文

* 上传模板导出的pdf论文文件(须含页眉)

* 上传模板编辑的tex文件

回复成功!


  • 0

KoP calculations of bismuth induced changes band structure of InN1-xBix, GaN1-xBix, and AlN1-xBix alloys

首发时间:2017-11-14

ZHANG Junyu 1   

Zhang Junyu(1993-),Male,Master student,Focusing on the electric energy band of Ⅲ-Ⅴ semiconductors

LU Pengfei 1   

Lu Pengfei(1976-),Male,Associate Professor,Mainly engaged in the field of quantum simulation of nano optoelectronic materials and devices and materials physical properties

LIANG Dan 1    JIA Baonan 1   
  • 1、State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, P.O. Box 72, Beijing 100876, China

Abstract:In this paper,Valence Band Anticrossing (VBAC) model is used to investigate band structure of InN1-xBix, GaN1-xBix and AlN1-xBix for the purpose of optimal performance group-III nitride related devices. Obvious reduction in band gap and increase in spin-orbit splitting energy are founded by doping dilute concentration of bismuth in all these III-N material. The band gap of GaN1-xBix and AlN1-xBix show a step change, and this can be explained by the special position relation between of Bi impurity energy level with corresponding host\'s band offsets. We also show how bismuth may be used to form alloys whereby ΔSO>Eg thereby providing a means of suppressing non-radiative CHSH (hot-hole producing) Auger recombination and inter-valence band absorption. For InN1-xBix, bismuth concentration beyond 1.25% is found to be corresponding to the range of ΔSO>Eg and it shows a continuous adjustable bandgap from 0.7 eV to zero. This may make InN1-xBix a potential candidate for near or mid-infrared optoelectronic applications.

keywords: Computational physics Band structure III-N-Bi VBAC Spin-orbit splitting energy

点击查看论文中文信息

基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究

张峻瑜 1   

Zhang Junyu(1993-),Male,Master student,Focusing on the electric energy band of Ⅲ-Ⅴ semiconductors

芦鹏飞 1   

Lu Pengfei(1976-),Male,Associate Professor,Mainly engaged in the field of quantum simulation of nano optoelectronic materials and devices and materials physical properties

梁丹 1    贾宝楠 1   
  • 1、北京邮电大学光电信息学院(信息光子学与光通信学院)

摘要:为了优化Ⅲ族氮化物相关器件的电子效率,价带交叉模型(VBAC)被用来研究InN1-xBix, GaN1-xBix和AlN1-xBix体系的电子能带结构。明显的带隙缩小和自旋轨道劈裂能的增大在这三种Ⅲ族氮化物的稀铋掺杂结构中都被发现了,并且在GaNBi和AlNBi这两个结构中,发现了带隙的突变现象,该现象可以用Bi原子杂质能级与宿主半导体能带的关联性解释。对于可能能够成功抑制俄歇复合中的CHSH过程的Bi掺杂范围,也被计算推导了出来。就InNBi体系而言,Bi原子浓度只要超过1.25%就可以起到抑制俄歇复合的作用,并且其带隙变化展现出从0.7eV到0eV的连续变化,这可能使InNBi成为近红外或中红外光电子器件的优秀潜在材料。

关键词: 计算物理学 电子能带结构 Ⅲ-N-Bi体系 VBAC方法 自旋轨道劈裂能

点击收起

论文图表:

引用

导出参考文献

.txt .ris .doc
ZHANG Junyu,LU Pengfei,LIANG Dan,et al. KoP calculations of bismuth induced changes band structure of InN1-xBix, GaN1-xBix, and AlN1-xBix alloys[EB/OL]. Beijing:Sciencepaper Online[2017-11-14]. http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201711-49.

No.****

同行评议

共计0人参与

评论

全部评论

0/1000

勘误表

基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究