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论文编号 201711-49
论文题目 基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究
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基于KoP方法的InN1-xBix,GaN1-xBix和AlN1-xBix电子能带研究

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张峻瑜

Zhang Junyu(1993-),Male,Master student,Focusing on the electric energy band of Ⅲ-Ⅴ semiconductors

芦鹏飞

Lu Pengfei(1976-),Male,Associate Professor,Mainly engaged in the field of quantum simulation of nano optoelectronic materials and devices and materials physical properties

梁丹

贾宝楠

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北京邮电大学光电信息学院(信息光子学与光通信学院)

摘要:为了优化Ⅲ族氮化物相关器件的电子效率,价带交叉模型(VBAC)被用来研究InN1-xBix, GaN1-xBix和AlN1-xBix体系的电子能带结构。明显的带隙缩小和自旋轨道劈裂能的增大在这三种Ⅲ族氮化物的稀铋掺杂结构中都被发现了,并且在GaNBi和AlNBi这两个结构中,发现了带隙的突变现象,该现象可以用Bi原子杂质能级与宿主半导体能带的关联性解释。对于可能能够成功抑制俄歇复合中的CHSH过程的Bi掺杂范围,也被计算推导了出来。就InNBi体系而言,Bi原子浓度只要超过1.25%就可以起到抑制俄歇复合的作用,并且其带隙变化展现出从0.7eV到0eV的连续变化,这可能使InNBi成为近红外或中红外光电子器件的优秀潜在材料。

关键词: 计算物理学 电子能带结构 Ⅲ-N-Bi体系 VBAC方法 自旋轨道劈裂能

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