碳化硅氮离子注入模拟研究

李卓; 夏晓川; 梁红伟

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碳化硅氮离子注入模拟研究

首发时间：2019-05-06

李卓 ¹
李卓（1994-），男，硕士研究生，主要研究方向：SiC基X射线探测器
夏晓川 ¹
夏晓川（1982-），男，副教授、硕导，主要研究方向：宽禁带半导体核辐射探测器
梁红伟 ¹
梁红伟（1978-）男，教授、博导，主要研究方向:第三代半导体材料与发光器件（氧化镓材料、氮化镓系紫外、蓝光、绿光及黄光LED，新型氮化硼半导体材料）、氮化镓高电子迁移率电力电子器件（HEMT器件及传感器件）及耐高温、耐辐照探测器件（粒子探测器件、X射线探测器等）.

1、大连理工大学微电子学院，大连 116024

摘要：利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下，N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现，随着注入角度的增大，N离子的分布峰位向注入界面处移动且分布峰值减小；N离子注入深度和浓度分别与注入能量和注入剂量近似呈线性关系。经过对注入次数和各次具体N离子注入条件进行了模拟研究，使用多次注入并结合末次大角度注入的方法在500nm的SiC注入区域内实现较为均匀的N离子浓度分布。

关键词：微电子学与固体电子学 SRIM软件 SiC 多次注入均匀分布

For information in English, please click here

Simulation study of N ion implantation in SiC

LI Zhuo ¹
李卓（1994-），男，硕士研究生，主要研究方向：SiC基X射线探测器
XIA Xiaochuan ¹
夏晓川（1982-），男，副教授、硕导，主要研究方向：宽禁带半导体核辐射探测器
LIANG Hongwei ¹
梁红伟（1978-）男，教授、博导，主要研究方向:第三代半导体材料与发光器件（氧化镓材料、氮化镓系紫外、蓝光、绿光及黄光LED，新型氮化硼半导体材料）、氮化镓高电子迁移率电力电子器件（HEMT器件及传感器件）及耐高温、耐辐照探测器件（粒子探测器件、X射线探测器等）.

1、School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116024

Abstract：SRIM software was used to simulate the distribution of N ions in SiC materials at different implantation angles, energy and doses. According to the simulation results, it is found that the distribution peak position of N ion moves towards the implantation interface and decreases with the increase of implantation angle, and the depth and concentration of N ion implantation are approximately linear with the implantation energy and dose, respectively. The number of implantations and the specific conditions of each N ion implantation were simulated. The uniform distribution of N ion concentration in the 500 nm SiC implantation area was achieved by multiple implantation combined with the last large angle implantation.

Keywords： Microelectronics and Solid-State Electronics SRIM SiC multiple implantation uniform distribution

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李卓，夏晓川，梁红伟. 碳化硅氮离子注入模拟研究[EB/OL]. 北京：中国科技论文在线 [2019-05-06]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201905-36.

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论文编号	201905-36
论文题目	碳化硅氮离子注入模拟研究
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