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论文编号 202002-29
论文题目 HWCVD法制备非晶和纳米晶WOx薄膜
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HWCVD法制备非晶和纳米晶WOx薄膜

首发时间:2020-02-07

李忠岳 1   

李忠岳(1994-),男,主要研究方向:忆阻器存储特性及突触特性机理研究

王春霞 2    刘艳红 2   

刘艳红(1968-),女,硕导,主要研究方向:忆阻器存储特性及突触特性机理研究

  • 1、大连理工大学, 微电子学院, 辽宁大连 116024
  • 2、大连理工大学, 物理学院, 辽宁大连 116024

摘要:氧化钨(WOx)作为重要的过渡金属氧化物之一,在许多领域具有广泛的应用,目前已发展出了多种氧化钨的制备工艺。本文利用热丝化学气相沉积(HWCVD)法,在低温低气压的纯氧条件下实现了氧化钨薄膜的沉积。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Ramam),X射线光电子能谱(XPS),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和透射谱等方法对薄膜进行了一系列表征。结果表明,只改变衬底温度,就可以在200℃和300℃条件下分别得到高质量的非晶结构和纳米晶结构的氧化钨薄膜。通过对热力学数据的分析,本文定性地描述了薄膜沉积的过程。

关键词: HWCVD 氧化钨薄膜 生长机理

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Deposition of amorphous and nano-crystalline WOx films by HWCVD

LI Zhongyue 1   

李忠岳(1994-),男,主要研究方向:忆阻器存储特性及突触特性机理研究

WANG Chunxia 2    LIU Yanhong 2   

刘艳红(1968-),女,硕导,主要研究方向:忆阻器存储特性及突触特性机理研究

  • 1、School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian Liaoning Province 116024
  • 2、School of Physics, Dalian University of Technology, Dalian Liaoning Province 116024

Abstract:Tungsten oxide (WOx) has been widely used in many fields as one of the most important transition-metal oxides, which can be deposited by various technologies. In this report, we investigated the deposition of WOx films by using hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) with pure oxygen at low pressure and low substrate temperature. The deposited WOx films are characterized by X-ray diffraction(XRD), Raman, X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Field Emission canning Electron Microscopy(FE-SEM) and transmission spectrum. The test results show that high-quality amorphous and nanocrystalline WOx films can be obtained by controling the substrate temperatures at 200℃ and 300℃. The deposition mechanisms are analyzed based the thermodynamic data.

Keywords: HWCVD tungsten oxide film growth mechanism

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李忠岳,王春霞,刘艳红. HWCVD法制备非晶和纳米晶WOx薄膜[EB/OL]. 北京:中国科技论文在线 [2020-02-07]. http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/202002-29.

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