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论文题目 Si衬底CZTS薄膜太阳能电池的数值分析
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Si衬底CZTS薄膜太阳能电池的数值分析

首发时间:2020-11-20

刘辉城 1   

刘辉城(1994-),男,硕士研究生,主要研究方向为CZTS材料及器件。

许佳雄 1   

许佳雄(1984-),男,副教授,硕导,主要研究方向为半导体光电材料及器件

林俊辉 1   
  • 1、广东工业大学材料与能源学院,广州 510006

摘要:在Si衬底上制备的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池具有CZTS吸收层与Si衬底的晶格失配低的优点,但目前其转换效率仍较低。本文采用异质结太阳能电池仿真软件Afors-het对Si衬底CZTS薄膜太阳能电池进行数值计算。对现有的p-CZTS/n-Si太阳能电池的计算结果表明,在该电池结构中p-CZTS和n-Si分别起窗口层和吸收层的作用,但p-CZTS具有高光吸收系数,使大部分入射光无法透过p-CZTS层进而被n-Si吸收,限制了电池的转换效率。本文提出以p-Si作为衬底的n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池结构。计算得到的p-CZTS/p-Si结构的暗态电流密度-电压(J-V)特性曲线均为线性曲线,表明p-CZTS与p-Si为欧姆接触以及p-Si作为p-CZTS的背电极的可行性。进一步计算了p-Si的厚度与掺杂浓度、p-CZTS的厚度与掺杂浓度对n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池光伏特性的影响,最高转换效率为22.49%。本文计算结果表明n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池可解决现有p-CZTS/n-Si结构存在的问题,是一种合适的Si衬底CZTS太阳能电池结构。

关键词: CZTS Si 背电极 光伏特性 Afors-het软件

For information in English, please click here

Numerical analysis of CZTS thin film solar cells on Si substrate

LIU Huicheng 1   

刘辉城(1994-),男,硕士研究生,主要研究方向为CZTS材料及器件。

XU Jiaxiong 1   

许佳雄(1984-),男,副教授,硕导,主要研究方向为半导体光电材料及器件

LIN Junhui 1   
  • 1、School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006

Abstract:The Cu2ZnSnS4(CZTS) thin film solar cell prepared on Si substrate has the advantage of low lattice mismatch between CZTS absorber and Si substrate,but its conversion efficiency is still low at present. In this work, the CZTS thin film solar cells on Si substrate were calculated numerically by heterojunction solar cell simulation softwareAfors-het. The calculated results show that the p-CZTS and n-Si act as window layer and absorber respectively in the p-CZTS/n-Si solar cells. However, most of the incident lights cannot pass through the p-CZTS layer and then be absorbed by n-Si due to the high absorption coefficient of p-CZTS, which limits the conversion efficiency of p-CZTS/n-Si solar cell. A n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si solar cell structure on p-Si substrate is proposed. The calculated darkcurrent density-voltage (J-V) characteristic curves of p-CZTS/p-Si structure are linear, indicating the formation of ohmic contact between p-CZTS and p-Si and the feasibility of p-Si as a back electrode of p-CZTS. The influences of the thicknesses and doping concentrations of p-Si and p-CZTS on the photovoltaic properties of n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si solar cells were further calculated.The highest conversion efficiency of n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si solar cell is 22.49%. The calculated results in this work show that the n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si solar cell can solve the problems existing in the p-CZTS/n-Si structure and it is an appropriate structure for CZTS solar cell on Si substrate.

Keywords: CZTS Si Back electrode Photovoltaic property Afors-het software

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刘辉城,许佳雄,林俊辉. Si衬底CZTS薄膜太阳能电池的数值分析[EB/OL]. 北京:中国科技论文在线 [2020-11-20]. http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/202011-41.

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