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论文编号 202103-182
论文题目 基于第一性原理的二维Janus NbSeTe-MoSeTe-NbSeTe横向异质结输运性质研究
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First-principle Study on Transport Properties of 2D Janus NbSeTe-MoSeTe-NbSeTe Lateral Heterostructure

首发时间:2021-03-18

ZHENG Yanan 1   

ZHENG Yanan(1996-), Female, Main research:properties of 2D materials

YE Han

YE Han(1985-), Male, Associate professor, Main research: growth mechanism of nanomaterials, properties of nanomaterials, photonic device design

  • 1、State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876

Abstract:Two dimensional transition metal chalcogenides have important application prospects in optoelectronic devices, energy storage, catalysis and other fields due to their excellent properties. The research on this material covers its electronic properties, optical properties and so on, but the related research on transport properties is less. The electronic properties and applications of materials largely depend on their crystal structures. In this project, the first principles density functional theory and non-equilibrium Green\'s function are used to calculate the quantum transport of NbSeTe- MoSeTe- NbSeTe transport structure, and we study its electronic transport properties. By applying bias voltage to the electrode, the difference of transmission coefficient under different bias voltage and the relationship between current and bias voltage are discussed. By the means of analyzing the transmission spectrum of the non-equilibrium state of the device, we can understand the quantum transport properties of non-equilibrium state. When the bias voltage is less than 60mV, the transmission coefficient spectrum has no obvious change; while in 80mV or 100mV, it becomes larger having a positive effect on the current.

keywords: Semiconductor First principles Quantum transport Janus Lateral Heterostructure

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基于第一性原理的二维Janus NbSeTe-MoSeTe-NbSeTe横向异质结输运性质研究

郑雅楠 1   

ZHENG Yanan(1996-), Female, Main research:properties of 2D materials

叶寒 1   

YE Han(1985-), Male, Associate professor, Main research: growth mechanism of nanomaterials, properties of nanomaterials, photonic device design

  • 1、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室,北京 100876

摘要:二维过渡金属硫系化合物以其优异的性能在光电子器件、储能、催化等领域具有重要的应用前景。对这种材料的研究涉及到其电子性质、光学性质等,但对其输运性质的相关研究较少。材料的电子性质和应用在很大程度上取决于它们的晶体结构。本课题利用第一性原理密度泛函理论和非平衡格林函数计算了NbSeTe-MoSeTe-NbSeTe横向异质结构的量子输运,研究了其电子输运性质。通过在电极上施加偏置电压,讨论了不同偏置电压下传输系数的差异以及电流与偏置电压的关系。通过分析器件非平衡态的透射谱,可以了解非平衡态的量子输运性质。偏压小于60mV时,透射系数谱无明显变化;而在80mV和100mV时,透射系数谱变大,对电流有正影响。

关键词: 半导体材料 第一性原理 量子输运 Janus横向异质结构

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ZHENG Yanan,YE Han. First-principle Study on Transport Properties of 2D Janus NbSeTe-MoSeTe-NbSeTe Lateral Heterostructure[EB/OL]. Beijing:Sciencepaper Online[2021-03-18]. http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/202103-182.

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