Spin relaxation due to energy level fluctuation in organic semiconductors is investigated by solving the Liouville equation of a two-level system with diagonal Hamiltonian elements being described by stochastic processes. When the polaron pair situates on one molecule, or an exciton, no spin relaxation is possible. In the opposite case when the coupled polaron pair distributes in two neighboring molecules, the relaxation occurs between spin singlet and one of the spin triplet states but not between spin triplet states.
2012-12-07
National Science Foundation of China （Grant Nos. 10904082 ）
the ResearchFund for the Doctoral Program of Higher Education（No. 20090131120060）
Department of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, JiNan 250100
#Physics#
2008-02-27
本文运用飞秒时间分辨泵浦－探测克尔光谱技术，研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性，发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大，而在同一激发能量密度下，退火
高等学校博士学科点专项科研基金（20050558030）
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
#物理学#
The Zeeman energy splitting or the external magnetic field effect on the temperature induced spin relaxation in organic semiconductors is investigated. By numerical solving the Liouville equations of a four-level system with energy level fluctuation, we show that the relaxation processes of spin singlet state of a coupled polaron pair are not affected by the Zeeman splitting. The magnetic field has small effect on the spin relaxation of T0 spin triplet state. But for the other spin triplet states with parallel spins, the relaxation processes will have periodic oscillation around the saturation value in present of magnetic field. The period and the amplitude of oscillation depend on the values of Zeeman splitting. The application of the model on understanding the organic magnetic field effect is also dicusssed.
2012-12-26
the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education （No. 20090131120060）
Department of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China
#Physics#
2007-03-20
本文综述了我们在半导体纳米结构系统中，基于动力学自旋Bloch方程，对自旋进动和自旋扩散／输运中的自旋弛豫／退相干方面的理论研究。
中科院百人计划（0）
中国自然科学基金（90303012）
中国国家基础研究项目（10574120）
教育部博士点基金（2006CNBOL1205）
安徽省自然科学基金（050460203）
合肥微尺度物质科学国家实验室(筹)与中国科学技术大学物理系，合肥 230026
#物理学#
2008-02-26
1:1或1:0.94的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70 ps，定性分析了自旋驰豫机制，认为BAP机制是电子自旋弛豫的主要机制.
国家自然科学基金（60490295）
高等学校博士学科点专项科研基金（60678009）
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室
#物理学#
2013-10-09
利用圆偏振光抽运-探测光谱研究室温下GaAs高过超能量态电子自旋动力学，发现同旋向圆偏振光抽运-探测光谱降到反旋向圆偏振光抽运-探测光谱之下的反常现象。同时考虑自旋依赖的带填充效应和带隙重整化效应，发展了简化的圆偏振光抽运-探测光谱模型，用于拟合实验数据，从而获得自旋弛豫时间，载流子复合时间，自旋依赖带填充和带隙重整化效应的强度系数等。利用拟合获得的参数可以详细解释光谱翻转的物理起源，发现自旋依赖的带填充效应和带隙重整化效应均对翻转光谱有贡献。
NSF of China （No. 11274189 and 11104162）
Scientific Project of QingDao （No.11-2-4-3-1-jch）
Excellent Youth Foundation of Shandong Scientific Committee （No.JQ201018）
Natural Science Foundation of Shandong Provinces of China （No.ZR2012AQ006）
青岛科技大学，数理学院，青岛 266061,青岛科技大学，数理学院，青岛 266061
#物理学#
2006-04-19
采用我们发展的时间分辨椭圆偏振光泵浦-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学，观察到吸收量子拍现象。这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动，因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种
提示
