2008-02-27
样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角，显示DP机制是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机制。退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋
高等学校博士学科点专项科研基金（20050558030）
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
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