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为您找到包含“GaAs”的内容共79

肖卫,贾慧民,唐吉龙,房丹,方铉,王新伟,王登魁,魏志鹏,王晓华

2018-01-29

砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性,广泛应用半导体光电器件中。对GaAs的发光特性研究可以为GaAs基半导体光电器件的设计提供重要

国家自然科学基金(61474010

吉林省科技发展计划( 61574022

长春理工大学科技创新基金( 61504012

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022

#物理学#

Gao Xian,Tang Jinglong,Fang Dan,Wang Shuangpeng,Zhao Haifeng,Wei Zhipeng,Fang Xuan,Wang Xiaohua,Xu Zhikun,Ma Xiaohui

GaAs was grown on substrate wafer by MBE on purpose before depositing insulator layer, and then MgO

2014-08-04

the Developing Project of Science and Technology of Jilin Province (20121816,201201116

National Key Lab of High Power Semiconductor Lasers Foundation (No.9140C310101120C031115

National Natural Science Foundation of China (61076039

Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China ( 61204065

State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,Key Laboratory of Excited State Process, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun 130033,Key Laboratory of Excited State Process, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun 130033,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,Harbin Normal University, 150080,,State Key Laboratory on High-Power Semi

#Physics#

冯建友,任晓敏,黄永清,黄辉,王琦,熊德平,吕吉贺,周静,王飞华

2007-09-20

采用金属有机化学汽相沉积法(MOCVD)在Si衬底上外延生长GaAs层,对比了晶向为(100)面无偏角和(100)面向[011]方向偏4º的Si衬底,并对外延层进行了X射线双晶衍射(XRD

973国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314901

北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学,北京邮电大学,北京邮电大学,北京邮电大学继续教育学院,北京邮电大学,北京邮电大学,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室

#物理学#

陈炳坤,贾慧民,陈雪,王登魁,方铉,唐吉龙,房丹,王新伟,王晓华,魏志鹏

2018-01-17

GaAs作为重要的III-V族半导体材料,具有直接带隙和高载流子迁移率,且具有良好的抗辐照能力,是制备空间器件的重要候选材料之一。当半导体器件在空间工作时,会受到复杂的空间粒子辐照的影响,导致器件

国家自然科学基金(61474010

吉林省科技发展计划( 61574022

长春理工大学科技创新基金( 61504012

State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,

#物理学#

夏宁,方铉,容天宇,蔡昕旸,王登魁,房丹,唐吉龙,王新伟,王晓华,魏志鹏

2017-10-27

砷化镓( GaAs )材料作为III-V族半导体材料中的典型代表,在光电子器件中有着广泛应用。但是材料表面由于表面态引入的复合中心问题,制约了GaAs材料光电子器件的性能。本文中采用湿法硫钝化的方式

State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,

#物理学#

贾慧民,王彪,王登魁,房丹,郝永芹,张家斌,李辉,张晶,马晓辉

2017-08-02

采用分子MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs衬底上外延获得表面形貌均匀,晶体质量较好,掺杂浓度较高的Be掺杂P型GaAs薄膜材料,并用该Be掺杂

国家自然科学基金(61404009,61474010,61574022,61504012,61674021,11404219,11404161,11574130,11674038

国家重点研发计划项目(2017YFB0405303

吉林省科技发展计划(20160519007JH,20160101255JC,20160520117JH,20160204074GX,20160203015GX,20170520117JH

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022

#物理学#