肖卫,贾慧民,唐吉龙,房丹,方铉,王新伟,王登魁,魏志鹏,王晓华
2018-01-29
砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性，广泛应用半导体光电器件中。对GaAs的发光特性研究可以为GaAs基半导体光电器件的设计提供重要
国家自然科学基金（61474010）
吉林省科技发展计划（ 61574022）
长春理工大学科技创新基金（ 61504012）
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022
#物理学#
GaAs was grown on substrate wafer by MBE on purpose before depositing insulator layer, and then MgO
2014-08-04
the Developing Project of Science and Technology of Jilin Province （20121816，201201116）
National Key Lab of High Power Semiconductor Lasers Foundation （No.9140C310101120C031115）
National Natural Science Foundation of China （61076039）
Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China （ 61204065）
State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,Key Laboratory of Excited State Process, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun 130033,Key Laboratory of Excited State Process, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun 130033,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,State Key Laboratory on High-Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,130022,Harbin Normal University, 150080,,State Key Laboratory on High-Power Semi
#Physics#
2017-05-05
本文利用Geant4软件模拟了质子入射GaAs MOSFET器件中产生的位移损伤效应，结果显示能量越高核反应过程越复杂，产生的PKA种类也越多，低能量质子入射GaAs器件中产生的NIEL值较大，可见
冯建友,任晓敏,黄永清,黄辉,王琦,熊德平,吕吉贺,周静,王飞华
2007-09-20
采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶向为（100）面无偏角和（100）面向[011]方向偏4º的Si衬底,并对外延层进行了X射线双晶衍射（XRD
973国家重点基础研究发展计划项目（2003CB314901）
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学,北京邮电大学,北京邮电大学,北京邮电大学继续教育学院,北京邮电大学,北京邮电大学,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室
#物理学#
陈炳坤,贾慧民,陈雪,王登魁,方铉,唐吉龙,房丹,王新伟,王晓华,魏志鹏
2018-01-17
GaAs作为重要的III-V族半导体材料，具有直接带隙和高载流子迁移率，且具有良好的抗辐照能力，是制备空间器件的重要候选材料之一。当半导体器件在空间工作时，会受到复杂的空间粒子辐照的影响，导致器件
国家自然科学基金（61474010）
吉林省科技发展计划（ 61574022）
长春理工大学科技创新基金（ 61504012）
State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,
#物理学#
2010-01-19
采用基于赝势平面波的第一性原理方法，研究了未掺杂和Bi掺杂GaAs晶体的电子结构，以及掺杂前后GaAs晶体的复介电函数和复折射率函数。计算结果表明，Bi掺杂后，GaAs晶体的价带和导带组成发生改变
The photocurrent and spectral response curves of gallium arsenide (GaAs) photocathodes have been
2009-01-03
教育部博士点基金（20050288010）
Institute of Electronic Engineering and Opto-electronic Technology, Nanjing University of Science and Technology,Institute of Electronic Engineering and Opto-electronic Technology, Nanjing University of Science and Technology
夏宁,方铉,容天宇,蔡昕旸,王登魁,房丹,唐吉龙,王新伟,王晓华,魏志鹏
2017-10-27
砷化镓( GaAs )材料作为III-V族半导体材料中的典型代表，在光电子器件中有着广泛应用。但是材料表面由于表面态引入的复合中心问题，制约了GaAs材料光电子器件的性能。本文中采用湿法硫钝化的方式
State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022,State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,
#物理学#
2010-04-29
本文对比了两种在选择性液相外延生长GaAs微探尖结束后使生长液与衬底脱离的方法：平推法和旋转石墨舟法。利用扫描电子显微镜对两种方法得到的GaAs微探尖表面形貌进行了表征。结果表明，与平推法相比，通过
大连理工大学物理与光电工程学院,大连理工大学物理与光电工程学院,大连理工大学物理与光电工程学院,大连理工大学物理与光电工程学院
#物理学#
贾慧民,王彪,王登魁,房丹,郝永芹,张家斌,李辉,张晶,马晓辉
2017-08-02
采用分子MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs衬底上外延获得表面形貌均匀，晶体质量较好，掺杂浓度较高的Be掺杂P型GaAs薄膜材料，并用该Be掺杂
国家自然科学基金（61404009，61474010，61574022，61504012，61674021，11404219，11404161，11574130，11674038）
国家重点研发计划项目（2017YFB0405303）
吉林省科技发展计划（20160519007JH，20160101255JC，20160520117JH，20160204074GX，20160203015GX，20170520117JH）
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，长春 130033,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022
#物理学#
提示
