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为您找到包含“Particle defect”的内容共2

王铁渠,黄其煜

2017-09-07

和易损部件更换,而对于in-film particle defect, 必须保证PECVD化学反应腔和气体管路密封性良好。

上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海,200240,上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海,200240

#电子、通信与自动控制技术#

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吴天成,程秀兰

2017-08-08

随着集成电路工艺的不断发展,芯片的集成度越来越高,需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件(即NMOS晶体管和PMOS晶体管),为了避免器件间的相互影响,集成电路制造中需要隔离技术将器件隔离开来。由于集成电路制造不断缩小的工艺线宽,隔离技术也得到了持续的研究和改进。在工艺节点进入90nm之后,STI(浅沟道隔离)技术以其有效的器件隔离、晶体管表面积减少、与CMP(化学机械研磨)兼容等优点得到更广泛的应用。本文针对STI隔离技术中应用的高深宽比(HARP) 介电质填充工艺进行了研究,在简要介绍HARP填充工艺反应步骤之后,重点分析了HARP填充工艺面临的颗粒缺陷问题,最后研究确认了颗粒缺陷的改善方案。

上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海 200240;上海华力微电子有限公司,上海 201203,上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海 200240

#电子、通信与自动控制技术#

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