2010-08-17
SOI LDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中，我们考虑的是如何用最简单的工艺流程，得到尽可能高的击穿电压。本文根据已有的多种漂移区RESURF结构研究成果，用工
上海交通大学微电子学院； 上海先进半导体制造股份有限公司,上海先进半导体制造股份有限公司
2004-04-19
本文建立了具有Si/SiO2界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型，该模型表明，在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向的固有结构缺陷，充分发挥埋氧层的高击穿电场的特性，得到理想的
2006-04-28
从IGBT市场需求和产业需求出发，在对SOI LIGBT研究发展历程比较深入广泛的调查研究基础上，简述了在SOI LIGBT方面的国内外研究现状，并归纳总结了国内外学者在SOI LIGBT领域的研究
国家自然科学基金、浙江省自然科学基金、浙江省青年教师资助计划（60306003；y104599等）
杭州电子科技大学电子信息学院,杭州电子科技大学电子信息学院,杭州电子科技大学电子信息学院,杭州电子科技大学电子信息学院
Zheng Xue ,Zhang Guohe,Shao Jun,Chen Kebin
) algorithm is presented for SOI (Silicon On Insulator) MOSFETs（Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect
2012-01-05
The School of Electronic and Information Engineering, Xi\'an Jiaotong University, Xi\'an 710049,The School of Electronic and Information Engineering, Xi\'an Jiaotong University, Xi\'an 710049,The School of Electronic and Information Engineering, Xi\'an Jiaotong University, Xi\'an 710049,The School of Electronic and Information Engineering, Xi\'an Jiaotong University, Xi\'an 710049
2011-04-19
本文基于SOI技术，研究影响高压LDMOS器件击穿电压的主要因素，通过软件模拟和实际工艺制造相结合的方法进行实验，以获得700V以上击穿电压的LDMOS器件。利用软件对以下三种情况进行模拟：硅层和埋
上海交通大学微电子学院；上海先进半导体制造股份有限公司，技术发展部,上海先进半导体制造股份有限公司，技术发展部，上海，200233
2012-01-31
用半导体数值模拟软件Sentaurus TCAD构建了特征尺寸为130nm的体硅SRAM（Static Radom Access Memory）器件和SOI SRAM（Silicon On
教育部新教师基金（200806981010）
西安交通大学核科学与技术学院，西安 710049,西安交通大学核科学与技术学院，西安 710049,西安交通大学核科学与技术学院，西安 710049,西安交通大学核科学与技术学院，西安 710049
#核科学技术#
2005-07-25
本文在介绍了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形之后，首先初步探讨了这种器件的先进VLSI工艺可实现性；然后比较深入讨论了减薄漂移区的工艺可实现性和与漂移区厚度相关的漂移区新结构可实现性；接着
64K silicon-on-insulator (SOI) SRAMs were exposed to different heavy ions, Cu, Br, I, Kr.
2008-09-03
Xi’an Jiaotong University,Xi＇an Jiaotong University,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy
2012-01-17
本文利用TCAD三维仿真工具研究了同时存在电子和空穴陷阱条件下0.5 μm SOI NMOS器件的总剂量效应。研究发现在埋氧中注入电子陷阱可以有效减小器件关态漏电流，并对加入不同电子陷阱浓度的情况
教育部博士点基金资助项目（批准号: 200807010010）
教育部科技创新工程重大项目培育资金项目（批准号:708083）
国家自然科学基金项目（批准号: 60976068）
西安电子科技大学微电子学院，西安 710071,西安电子科技大学微电子学院
2004-03-08
本文通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程，建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果和半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合
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