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Li Yonghong,He Chaohui,Zhao Fazhan, Guo Tianlei,Liu Gang,Han Zhengsheng,Guo Gang,Liu Jiancheng, Teng rui, Hui Ning,Chen Quan

64K silicon-on-insulator (SOI) SRAMs were exposed to different heavy ions, Cu, Br, I, Kr.

2008-09-03

Xi’an Jiaotong University,Xi'an Jiaotong University,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy,China Institute of Atomic Energy

#Nuclear Science and Technology#

刘红侠,申远

2012-01-17

本文利用TCAD三维仿真工具研究了同时存在电子和空穴陷阱条件下0.5 μm SOI NMOS器件的总剂量效应。研究发现在埋氧中注入电子陷阱可以有效减小器件关态漏电流,并对加入不同电子陷阱浓度的情况

教育部博士点基金资助项目(批准号: 200807010010

教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083

国家自然科学基金项目(批准号: 60976068

西安电子科技大学微电子学院,西安 710071,西安电子科技大学微电子学院

#电子、通信与自动控制技术#