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敖建平

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期刊论文

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质*

敖建平何青孙国忠刘芳芳黄磊李薇李凤岩孙云薛玉明

半导体学报:2005,26(7):1347~1352,-0001,():

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摘要/描述

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104~105·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12110%和12117%.

【免责声明】以下全部内容由[敖建平]上传于[2011年03月16日 09时28分35秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。

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