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敖建平
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期刊论文
CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能
太阳能学报：2006，27（7）：682～686，-0001，（）：
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CdS薄膜的电阻率在104～105Ω·cm之间。CdS薄膜的晶格在乙酸胺浓度较小时，为六方晶和立方晶混合结构；乙酸胺浓度较大时，为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CdS制备的CIGS太阳电池，光电转换效率最大可达1211%，315×316cm2小面积组件为616%。立方相CdS制备的最佳电池效率达到12117%。两种晶相结构的CdS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。
【免责声明】以下全部内容由[敖建平]上传于[2011年03月16日 09时28分50秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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