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成永红
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期刊论文
基于分子模拟的二氧化硅介电常数温度特性规律的研究
四川大学学报（自然科学版），2005，42（2）：94～98，-0001，（）：
摘要/描述
作者将分子模拟技术应用于材料介电性能研究中，以了解介电常数随温度变化规律的问题，从而有效地分析相关的微观结构特性。首先利用分子动力学对微观结构模型进行恒温下的分子动力学计算，然后对于该动力学结构模型再进行第一性原理计算，得到该温度下能带结构和介电常数等。通过改变分子动力学设定的温度，得到不同温度下材料微观结构的变化情况以及介电常数随温度的变化规律。作者分析了二氧化硅晶体微观结构和介电常数之间的关系，得到费米能量、禁带宽度和晶胞体积成反比关系的规律，建立了二氧化硅晶体介电常数和温度之间的关系。
【免责声明】以下全部内容由[成永红]上传于[2006年09月14日 18时58分10秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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