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陈培毅
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期刊论文
应变Si沟道异质结NMOS晶体管*
半导体学报，2002，23（7）：685～689，-0001，（）：
摘要/描述
通过参数调整和工艺简化，制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管。该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道，相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%。
【免责声明】以下全部内容由[陈培毅]上传于[2005年02月25日 19时48分16秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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