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陈星弼

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期刊论文

Optimum Doping Profile of Power MOSFET Epitaxial Layer

陈星弼XING-BI CHEN AND CHENMING HU MEMBER IEEE

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. VOL. ED. 29. NO.6 JUNE 1982,-0001,():

URL:

摘要/描述

The epitaxial layer resistance of a Mosfet can be slightly reduced by using an oprimum doping protile. Which exhibits a mini-mum in the upper half of the layer when the layer thickness is large compared to the cell-to-cell spacing. A gradual transition from the nepitaxial layer to the n+ subsuase is desirable. When conent spreading is significant. The resistance may rise ad V52 rather than Vb25.

关键词:

【免责声明】以下全部内容由[陈星弼]上传于[2006年03月20日 22时28分16秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。

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