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贺朝会
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期刊论文
浮栅ROM器件的辐射效应机理分析
，-0001，（）：
摘要/描述
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象。指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因。浮栅ROM器件的中子、质子和60Coγ辐射效应都是总剂量效应。
【免责声明】以下全部内容由[贺朝会]上传于[2005年03月31日 18时02分56秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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