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贺朝会
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期刊论文
浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析
，-0001，（）：
摘要/描述
比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同，分析了其不同的原因。和SRAM相比，浮栅ROM器件出错时的14MeV中子注量阈值高5个量级；31.9MeV质子注量阈值高4个量级；总剂量损伤阈值相差不大，都在104rad（Si）量级左右。这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的。在空间辐射环境中，不需经常擦写数据的情况下，应该选用浮栅ROM器件。
【免责声明】以下全部内容由[贺朝会]上传于[2005年03月31日 18时02分32秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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