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黄风义

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期刊论文

OPTICAL-GAIN ENHANCEMENT IN RESONANT-CAVITY HETEROJUNCTION BIPOLAR PHOTOTRANSlSTOR THROUGH EMITTER-EDGE THINNING

黄风义F. Y. Huang G. L. Zhou Z. F. Fan G. B. Gao A. E. Botchkarev B. Sverdlov and H. Morkoc

ELECTRONICS LETTERS 29th April 1993 Vol. 29 No.9,-0001,():

URL:

摘要/描述

The authors use a lateral emitter resistor in floating base GaAs/InGaAs/AIGaAs heterojunction bipolar photo-transistors to reduce the surface recombination in the vertical wall of the emitte-base junction and increase the photo-sensitivity at low injection levels. The same process also reduces the dark current in the reverse biased collector junc-tion.

版权说明:以下全部内容由黄风义上传于   2005年01月28日 21时44分16秒,版权归本人所有。

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