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黄辉
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期刊论文
用于光电集成的InP基HBT新结构**
光电子•激光，2007，18（3）：263～266，-0001，（）：
摘要/描述
对用于光电集成（OEIC）的InP基异质结双极性晶体管（HBT）进行了分析，提出了一种新的集电区外延结构，该结构是在单HBT（sHBT）的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InCaAs层和n-InP层，既适用于集成光探测器，又较好地解决了sHBT反向击穿电压低、传统双HBT（DHBT）电子堆积效应等问题，并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点。
【免责声明】以下全部内容由[黄辉]上传于[2010年01月14日 19时44分24秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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