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黄辉
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期刊论文
基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器*
半导体学报，2007，28（11）：1807～1810，-0001，（）：
摘要/描述
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器。通过外延实验，摸索出低温缓冲层的最佳生长条件，成功地在GaAs加衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的Inp基材料。基于此低温缓冲层，在GaAs粕衬底上首先生长GaAs/AlAs御舢材料的F-P腔滤波器，然后异质外延InP-In0。∞Gao。47As-InP材料的PIN结构。制作出的器件通过热调谐，峰值波长从1533.lnm红移到1543.1nm，实现了10.0nm的调谐范匿，届时喃应线宽维持在0.8nm以下，量子效率保持在23%以上，响应速率达到6.2GHz。
【免责声明】以下全部内容由[黄辉]上传于[2010年01月14日 19时45分30秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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