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期刊论文
脉冲内部受激喇曼散射对暗孤子的影响
光通信技术,1999,24(3);220~224,-0001,():
利用敷值分析,研究了在高能状态下脉冲内部受激喇曼散射(ISRS)对暗孤子的影响。分析表明。暗孤子在ISRS的影响下,在时问域和频率域上都有自漂移现象,并随输入脉冲强度的增加而漂移增大。文中还将亮孤子与暗孤子进行比较,证明1相同条件下,暗孤子比亮孤子所受的影响更小。
【免责声明】以下全部内容由[黄小军]上传于[2010年01月14日 19时52分10秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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