提示
胡晓东
-
49浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
110下载
-
0评论
-
引用
期刊论文
AFM电场诱导氧化加工作用的分析
电子显微学报，2003，6（3）：206-209，-0001，（）：
摘要/描述
纳米加工技术是纳米器件研究的重要基础条件，纳米氧化结构则是纳米器件的重要组成部分为了深化对AFM电场诱导氧化加工机理的理解，本文对Si表面的电场诱导氧化作用进行了实验研究，包括探针与样品之间实际电压的监测、不同掺杂Si材料加工门槛电压的分析及探针扫描速率对氧化物高度的影响。实验分析表明，在氧化结构的生成过程中存在的充放电过程是不同加工门槛电压的产生和氧化作用时间与氧化线高度呈非线性关系的重要影响因素。
【免责声明】以下全部内容由[胡晓东]上传于[2009年06月17日 16时02分24秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
我要评论
全部评论
共 0 条
本学者其他成果
同领域成果
