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亢宝位
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期刊论文
一种高性能的新结构IGBT*
半导体学报，2003，24（6）：586～590，-0001，（）：
摘要/描述
提出了一种低功率损耗的新结构IGBT。该新结构的创新点在于其复合耐压层结构，该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分。虽然在正常工作条件下，该新结构IGBT工作于穿通状态，但器件仍具有非穿通IGBT(NPT2IGBT）的优良特性。该新结构IGBT具有比NPT2IGBT更薄的芯片厚度，从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷。实验结果表明:与NPT2IGBT相比较，新结构IGBT的功率损耗降低了40%。
【免责声明】以下全部内容由[亢宝位]上传于[2009年06月22日 15时21分03秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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