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廖蕾
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期刊论文
Ultrathin dielectrics for 2D devices
Nature Electronics ，2019，2（）：pages559–5 | 2019年12月16日 | https://doi.org/10.1038/s41928-019-0344-9
摘要/描述
Gate dielectrics with an equivalent oxide thickness of only one nanometre can be grown on two-dimensional semiconductors with the help of a monolayer molecular crystal.
关键词:
无
【免责声明】以下全部内容由[廖蕾]上传于[2021年02月04日 15时24分03秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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