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期刊论文
量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究∗
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采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs/AlGaAs 多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性,测得电子自旋极化弛豫时间为80±10ps。说明了电子自旋-轨道耦合相互作用引起局域磁场的随机化,是导致电子的自旋极化弛豫的主要机制。
【免责声明】以下全部内容由[林位株]上传于[2005年01月19日 21时31分14秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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