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期刊论文
ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性*
无机材料学报,1996,11(1):90~96,-0001,():
本文研究了不同工艺条件制备的znO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性,根据介电频谱和低温温谱,认为音频损耗机理是载流子跳跃传输,低温-138℃和-87.5℃处的损耗机制是热离子极化。实验发现并理论推导了znO非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积,这一关系可作为ZnO元件的质量控制手段。
【免责声明】以下全部内容由[李盛涛]上传于[2005年02月25日 00时43分22秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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