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刘启明
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期刊论文
非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应
科学通报，2002，47（8）：569～571，-0001，（）：
摘要/描述
报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后，薄膜的光学透射边均出现绿移，这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的，即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置通过透射电子显微镜测试，在光照后的Ges2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料。
【免责声明】以下全部内容由[刘启明]上传于[2011年06月23日 11时06分16秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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