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刘玉岭
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期刊论文
ULSI多层布线中SiO2介质CMP技术①
电子器件，2001，24（2）：101～106，-0001，（）：
摘要/描述
对甚大规模集成电路（ULSI）多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述，对现存的一些难题提出了改进方案。
【免责声明】以下全部内容由[刘玉岭]上传于[2009年07月10日 16时57分33秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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